碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導(dǎo)通損耗、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子器件中。其制備過程主要涉及碳化硅材料的生長(zhǎng)、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。
2024-09-24IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起，在高效能電力電子應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了高電流開關(guān)和低損耗操作。
2024-09-18國(guó)產(chǎn)溝槽型碳化硅MOSFET正式問世,此次碳化硅溝槽型MOSFET芯片制造技術(shù)的突破不僅填補(bǔ)了我國(guó)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，更為相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟(jì)效益和技術(shù)提升。
2024-09-09東莞市美瑞電子有限公司，超結(jié)MOS（Super Junction MOSFET）產(chǎn)品中的099內(nèi)阻與070，038內(nèi)阻型號(hào)已實(shí)現(xiàn)大量出貨，標(biāo)志著美瑞在大功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的夯實(shí)一步。
2024-09-09本文為您介紹超結(jié)MOSFET的生產(chǎn)工藝，和應(yīng)用。超結(jié)MOS作為一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體器件技術(shù)，通過其獨(dú)特的超結(jié)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在降低導(dǎo)通電阻、提高開關(guān)速度、減小芯片體積、降低發(fā)熱和提升效率等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-09-07電源EMI是電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)和使用中必須考慮的重要因素之一。通過采取有效的抑制措施和合理的設(shè)計(jì)方法，可以顯著降低電源EMI對(duì)電子設(shè)備和系統(tǒng)的影響，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-09-07900V MOSFET在高壓、高效率的應(yīng)用中具有廣泛的用途，尤其適合工業(yè)電源、光伏逆變器、電動(dòng)汽車充電器和LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。
2024-09-05Super Junction MOSFET 超結(jié)MOS是一種高壓功率器件，通常用于高效率的開關(guān)電源、逆變器、LED驅(qū)動(dòng)器和工業(yè)電源等應(yīng)用。
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