碳化硅二極管的主要特征所在

　　碳化硅二極管是適用于功率半導體的革命性材料，其物理性能遠遠優(yōu)于硅功率器件。關鍵特性包括基準開關性能、無反向恢復電流、溫度對開關行為幾乎沒有影響以及標準工作溫度范圍為-55℃至175℃。碳化硅二極管采用結勢壘..

肖特基二極管的命名由來

　　肖特基二極管是以其發(fā)明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體和N型半導體接觸形成PN結的原理，而是利用金屬-半導體接觸形成金屬-半導體結的原理。因此，SBD..

穩(wěn)壓二極管不同于普通二極管

　　穩(wěn)壓二極管的結構與普通二極管相同，并且還有一個PN結。由于不同的制造工藝，當PN結處于反向擊穿狀態(tài)時，PN結不會被損壞(普通二極管的PN結會被損壞)，當使用穩(wěn)壓二極管來穩(wěn)定電壓時，利用這種擊穿特性。通常，當..

碳化硅二極管的基本特征

　　與PN結器件相比，碳化硅二極管更像是一種理想的開關。肖特基二極管最重要的兩個性能指標是其低反向恢復電荷(Qrr)和恢復軟化系數(shù)。當二極管電壓變?yōu)榉聪蚱脮r，低Qrr大大縮短了關斷過程所需的時間，即反向恢復時..

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肖特基二極管的性能特征

　　肖特基二極管是一種低功耗、超高速的半導體器件。它的反向恢復時間非常短(可以小到幾納秒)，正向?qū)妷航祪H為0.4V左右.大多數(shù)用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管和保護二極管。它們也用作微波通信電路..

穩(wěn)壓二極管的功能及參數(shù)

　　穩(wěn)壓二極管伏安特性曲線的正向特性與普通二極管相似，反向特性是反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻大，反向漏電流極小。然而，當反向電壓接近反向電壓的臨界值時，反向電流突然增加，這被稱為擊穿。在這個臨界擊穿點，..

什么是lowvf肖特基二極管？

　　lowvf肖特基二極管是一種正向壓降比普通肖特基二極管低的半導體器件。它可以理解為性能更好、壓降更低的升級肖特基二極管。因此，lowvf肖特基二極管的壓降越低，效率越高。因此，電壓降越低，發(fā)熱越低，lowv..