上海功成半導體的超結MOS介紹

超結MOS概述

超結MOSFET（superjunction MOSFET）是一種重要的功率半導體器件，為克服傳統(tǒng)平面MOSFET的局限性而出現(xiàn)。傳統(tǒng)平面MOSFET在高電壓應用中，高電壓需要更厚的漂移區(qū)來承受，但會導致更高的導通電阻，增加功率損耗。而超結MOSFET利用創(chuàng)新結構設計，顯著降低了導通電阻，同時維持了高擊穿電壓。

上海功成半導體超結MOS特點

上海功成半導體（Coolsemi）的高壓超結MOSFET通過先進的超結技術和優(yōu)化結構設計，實現(xiàn)極低的特征導通電阻（Rdson*A），有效提高電源的功率密度和效率。

超結MOS結構設計

垂直結構設計

與傳統(tǒng)的平面MOSFET不同，超結MOSFET采用垂直結構，電流在器件中垂直流動。這種設計能有效利用芯片的厚度來優(yōu)化電流的流動路徑，從而降低導通電阻。

交替P型和N型區(qū)域

這些交替的區(qū)域在器件導通時形成了一個高效的電流通道，而在關斷時則能夠分擔電場，使得器件能夠承受更高的電壓。

超結MOS優(yōu)勢

更低的導通電阻（R）

超結MOSFET的結構設計顯著降低了導通電阻。這意味著在相同電壓等級下，超結MOSFET能夠提供更高的效率，減少功率損耗。上海功成半導體的超結MOSFET也具備此優(yōu)勢，可有效提高電源效率。

更高的擊穿電壓（BV）

得益于其獨特的結構，超結MOSFET在不增加芯片尺寸的情況下，能夠實現(xiàn)更高的擊穿電壓，在高壓應用中表現(xiàn)出色。

更好的熱性能

低導通電阻意味著更少的熱量產(chǎn)生，對于需要長時間高效運行的應用是一個重要的優(yōu)勢。

超結MOS應用領域

超結MOSFET在多個領域廣泛應用，上海功成半導體的超結MOS產(chǎn)品已應用于多個細分市場，具體如下：